Найдено 62 товара
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4700 МБайт/с, случайный доступ: 495000/750000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4700 МБайт/с, случайный доступ: 495000/750000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 81000/74000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 81000/74000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 90000/130000 IOps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Realtek RTS5766DL, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 90000/130000 IOps
1 ТБ, mSATA, mSATA, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с
1 ТБ, mSATA, mSATA, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 5000/4800 MBps, случайный доступ: 620000/550000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 5000/4800 MBps, случайный доступ: 620000/550000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps