Найдено 28 товаров
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 400000/600000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 400000/600000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 95000/90000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
250 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/1400 MBps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 250000/550000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 250000/550000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 94000/63000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 94000/63000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps
480 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/700 МБайт/с, случайный доступ: 280000/40000 IOps
480 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/700 МБайт/с, случайный доступ: 280000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, случайный доступ: 66000/52500 IOps
2.5", SATA 3.0, случайный доступ: 66000/52500 IOps
2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1550 MBps, случайный доступ: 396000/135000 IOps
2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1550 MBps, случайный доступ: 396000/135000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер