Найдено 35 товаров
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1550 MBps, случайный доступ: 396000/135000 IOps
2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1550 MBps, случайный доступ: 396000/135000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 250000/550000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 MBps, случайный доступ: 250000/550000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 90000/43000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 90000/43000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 500/400 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 87000/80000 IOps
2.5", SATA 3.0, случайный доступ: 66000/52500 IOps
2.5", SATA 3.0, случайный доступ: 66000/52500 IOps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps
960 ГБ, 2.5", U.2 (PCIe NVMe Gen3 x4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 440000/150000 IOps
960 ГБ, 2.5", U.2 (PCIe NVMe Gen3 x4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 440000/150000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/350 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/350 MBps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 440000/545000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 440000/545000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/3900 MBps, случайный доступ: 450000/900000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/3900 MBps, случайный доступ: 450000/900000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 3.0 x8, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 200250/206100 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x8, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 200250/206100 IOps