Оперативная память
Найдено 320 товаров
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Kingston FURY Renegade RGB 2x32ГБ DDR4 3200 МГц KF432C16RB2AK2/64
2 314,32 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В
- 2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
Оперативная память Micron 32ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF4G72PZ-3G2
2 323,09 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 1 модуль, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время